Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics - Viktor Sverdlov - Livres - Springer Verlag GmbH - 9783709119334 - 23 août 2016
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics Softcover reprint of the original 1st ed. 2011 edition

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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.


252 pages, 50 Tables, black and white; XIV, 252 p.

Médias Livres     Paperback Book   (Livre avec couverture souple et dos collé)
Validé 23 août 2016
ISBN13 9783709119334
Éditeurs Springer Verlag GmbH
Pages 252
Dimensions 150 × 220 × 10 mm   ·   455 g
Langue et grammaire Allemand  

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