Faites connaître cet article à vos amis:
Subthreshold Surface Potential Model for Short-channel Mosfet: Using Pseudo 2d Analysis Angsuman Sarkar
Prix
€ 117,99
Commandé depuis un entrepôt distant
Livraison prévue 9 - 17 nov.
Les cadeaux de Noël peuvent être échangés jusqu'au 31 janvier
Recevez une notification pour les nouvelles sorties de Angsuman Sarkar
Nos clients disent :
Ajouter à votre liste de souhaits iMusic
Subthreshold Surface Potential Model for Short-channel Mosfet: Using Pseudo 2d Analysis
Angsuman Sarkar
As a result of aggressive downscaling, short-channel effects (SCEs) become a major threat for future downscaling especially in the sub-100nm region. In order to extend the International Technology Road-map for Semiconductors (ITRS) road-map beyond 100nm, Double-Gate (DG) MOSFET evinces himself as a major promising candidate due to its higher scaling capability. In this book, modelling using a pseudo- two-dimensional (2D) analysis was presented to explore the effect of scaling especially for subthreshold characteristics of short-channel DG and conventional single gate MOSFET.
| Médias | Livres Paperback Book (Livre avec couverture souple et dos collé) |
| Validé | 27 février 2014 |
| ISBN13 | 9783659126093 |
| Éditeurs | LAP LAMBERT Academic Publishing |
| Pages | 84 |
| Dimensions | 150 × 5 × 226 mm · 143 g |
| Langue et grammaire | Allemand |
