Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics - Koichiro Ishibashi - Livres - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642195679 - 18 août 2011
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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

Koichiro Ishibashi

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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

310 pages, biography

Médias Livres     Hardcover Book   (Livre avec dos et couverture rigide)
Validé 18 août 2011
ISBN13 9783642195679
Éditeurs Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Genre Aspects (Academic) > Science / Technology Aspects
Pages 144
Dimensions 155 × 235 × 13 mm   ·   362 g
Langue et grammaire French  
Éditeur Ishibashi, Koichiro
Éditeur Osada, Kenichi

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