Faites connaître cet article à vos amis:
An Soi Ldmos for Better Switch Application: Electron Devices Anup Kumar Bhattacharjee
Prix
€ 35,49
Commandé depuis un entrepôt distant
Livraison prévue 17 - 25 nov.
Les cadeaux de Noël peuvent être échangés jusqu'au 31 janvier
Recevez une notification pour les nouvelles sorties de Anup Kumar Bhattacharjee
Nos clients disent :
Ajouter à votre liste de souhaits iMusic
An Soi Ldmos for Better Switch Application: Electron Devices
Anup Kumar Bhattacharjee
This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1-?m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1-?m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.
| Médias | Livres Paperback Book (Livre avec couverture souple et dos collé) |
| Validé | 1 juin 2013 |
| ISBN13 | 9783659406751 |
| Éditeurs | LAP LAMBERT Academic Publishing |
| Pages | 84 |
| Dimensions | 150 × 5 × 225 mm · 143 g |
| Langue et grammaire | Allemand |